Micron Technology
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA (EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR)
Part Number: EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Documents / Media: datasheets EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
- Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
- Скорость: 533MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 134-WFBGA
- Исполнение корпуса: 134-FBGA (10x11.5)
Цена по запросу